信息概要
SiC SBD刻蚀液熔融硼砂中钠离子污染ICP-MS检测是针对碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）制造过程中使用的刻蚀液及熔融硼砂材料中钠离子污染的专项分析服务。钠离子污染会严重影响半导体器件的性能和可靠性，可能导致漏电流增加、阈值电压漂移等问题。通过高灵敏度的ICP-MS技术，可精准检测痕量钠离子浓度，为工艺优化和质量控制提供关键数据支持。该检测服务适用于研发、生产及质控环节，确保材料符合半导体行业的高纯度要求。
检测项目
钠离子浓度, 钾离子浓度, 钙离子浓度, 镁离子浓度, 铁离子浓度, 铜离子浓度, 锌离子浓度, 铝离子浓度, 镍离子浓度, 铬离子浓度, 铅离子浓度, 镉离子浓度, 砷离子浓度, 汞离子浓度, 硼元素含量, 硅元素含量, 碳元素含量, 氯离子浓度, 氟离子浓度, 硫酸根离子浓度
检测范围
SiC SBD刻蚀液, 熔融硼砂原料, 半导体级氢氟酸, 电子级硝酸, 高纯磷酸, 去离子水, 化学机械抛光液, 光刻胶剥离剂, 电镀液, 清洗剂, 蚀刻后废液, 晶圆表面处理液, 气相沉积前驱体, 溅射靶材, 封装材料, 导热胶, 键合线, 陶瓷基板, 金属有机化合物, 硅烷气体
检测方法
电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：用于ppb级痕量元素分析
离子色谱法（IC）：检测阴离子和可溶性阳离子
原子吸收光谱法（AAS）：测定特定金属元素含量
X射线荧光光谱法（XRF）：快速无损的元素筛查
电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同时分析
质谱联用气相色谱法（GC-MS）：有机污染物鉴定
紫外可见分光光度法（UV-Vis）：特定成分定量分析
激光诱导击穿光谱法（LIBS）：表面元素分布检测
电化学分析法：离子选择性电极测量
热重分析法（TGA）：材料热稳定性评估
差示扫描量热法（DSC）：相变温度测定
傅里叶变换红外光谱法（FTIR）：有机官能团分析
扫描电子显微镜-能谱联用（SEM-EDS）：微观形貌与元素组成
动态光散射法（DLS）：颗粒粒径分布检测
核磁共振波谱法（NMR）：分子结构解析
检测仪器
电感耦合等离子体质谱仪, 离子色谱仪, 原子吸收光谱仪, X射线荧光光谱仪, 电感耦合等离子体发射光谱仪, 气相色谱-质谱联用仪, 紫外可见分光光度计, 激光诱导击穿光谱仪, 离子选择性电极分析仪, 热重分析仪, 差示扫描量热仪, 傅里叶变换红外光谱仪, 扫描电子显微镜, 动态光散射仪, 核磁共振波谱仪
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