旗下实验室荣誉资质
CMA资质认定证书
CNAS认可证书
技术概述
非晶纳米晶材料作为一种新型软磁材料，凭借其优异的磁性能、高电阻率、低损耗以及良好的温度稳定性，在电力电子、新能源、航空航天等领域得到了广泛的应用。然而，要充分发挥这些材料的性能优势，精准的磁性能表征至关重要。其中，非晶纳米晶退磁曲线测试是评价材料磁特性的核心手段之一。退磁曲线（Demagnetization Curve）通常是指磁滞回线位于第二象限的部分，对于永磁材料而言，它是判断其使用价值的关键依据；而对于非晶纳米晶这类软磁材料，通过分析其退磁过程及相关的磁滞回线特征，可以深入理解材料的磁导率、矫顽力、剩磁以及矩形比等关键参数。
非晶纳米晶合金由于原子排列的长程无序和短程有序结构，使其具有独特的磁畴结构。在外磁场作用下，磁畴壁的移动和磁矩的转动决定了材料的宏观磁性能。非晶纳米晶退磁曲线测试通过施加正向磁场使材料达到饱和磁化状态，随后反向施加磁场，记录磁感应强度随磁场强度变化的轨迹。这条曲线不仅揭示了材料从饱和状态退磁至零的过程，更直观地反映了材料抗退磁能力的强弱。对于经过特殊热处理获得纳米晶结构的材料，其晶粒尺寸、晶间相以及感生磁各向异性都会显著影响退磁曲线的形状，因此，该测试也是优化材料热处理工艺、研究微观结构与宏观性能关系的重要工具。
在进行非晶纳米晶退磁曲线测试时，必须充分考虑到这类材料的高磁导率特性。相比于传统硅钢或铁氧体，非晶纳米晶材料在极小的磁场下就能达到饱和，这就对测试系统的灵敏度、磁场控制精度以及信号采集的实时性提出了极高的要求。测试过程中，通过精确测量磁感应强度B与磁场强度H的关系，可以获得完整的磁滞回线，进而提取出退磁曲线部分。通过对退磁曲线的分析，工程师可以评估材料在特定应用场景下的抗干扰能力、存储磁能的能力以及能量转换效率，为磁性元器件的设计提供可靠的数据支撑。
检测样品
非晶纳米晶退磁曲线测试适用的样品形态多种多样，主要取决于材料的制备工艺及其最终应用形态。由于非晶合金通常采用快速凝固技术制备，其初始形态多为薄带，而纳米晶材料则通常是在非晶带材的基础上经过特定热处理转变而成。因此，检测机构常见的检测样品主要包括以下几类：
- 非晶/纳米晶薄带：这是最基础的样品形态，厚度通常在20-30微米左右。测试时通常将带材卷绕成环形样品，或者叠片制成特定的试样，以形成闭合磁路，减小退磁场对测试结果的影响。
- 磁粉芯样品：将非晶或纳米晶带材破碎成粉末，经过绝缘包覆、压制成型制成的磁粉芯。这类样品的测试关注其直流叠加特性以及经过压制后的磁性能衰减情况。
- 铁芯/磁环：这是应用端最常见的形态，包括环形铁芯、C型铁芯、E型铁芯等。这些铁芯通常已经过浸漆、固化或封装处理，测试时需考虑应力对磁性能的影响。
- 纳米晶切割磁芯：针对特定形状要求的磁芯，经过线切割或激光切割加工后的产品。这类测试主要评估加工应力对退磁曲线的影响。
样品的制备与状态调节对非晶纳米晶退磁曲线测试结果影响显著。对于非晶薄带样品，测试前必须进行严格的退火处理以消除制备过程中引入的内应力，否则测试数据将无法反映材料的真实性能。对于纳米晶样品，其晶化程度、退火气氛（如纵向磁场退火、横向磁场退火）将直接决定其磁各向异性特征，进而改变退磁曲线的形态。因此，在送检前，客户需明确样品的热处理状态，检测工程师也需根据样品特性制定合适的测试方案。
检测项目
非晶纳米晶退磁曲线测试涵盖了一系列关键的磁性能参数，这些参数直接决定了材料在电子器件中的表现。依据国家标准及行业规范，主要的检测项目包括：
- 饱和磁感应强度（Bs）：指材料在外加磁场强度足够大时，磁化强度达到饱和状态的磁感应强度值。这是衡量材料传递磁通能力的本征参数，对于非晶纳米晶材料，通常可达1.2T至1.6T。测试中需确保样品被充分饱和。
- 剩磁：指材料磁化达到饱和后，撤去外加磁场（H=0）时残留的磁感应强度。对于纳米晶材料，剩磁的大小与磁各向异性密切相关，低剩磁通常意味着材料在脉冲变压器或储能电感中具有更好的线性度。
- 矫顽力：指要使磁感应强度降为零所需施加的反向磁场强度。矫顽力是表征材料磁导率高低和损耗大小的关键指标。非晶纳米晶材料以其极低的矫顽力著称，测试中需高精度的磁场传感器来捕捉这一微小数值。
- 矩形比：即剩磁与饱和磁感应强度的比值。该参数反映了磁滞回线的形状。对于高矩形比材料，其退磁曲线陡峭，适用于磁放大器或饱和电抗器；对于低矩形比材料，其退磁曲线平缓，适用于共模电感或脉冲变压器。
- 初始磁导率和最大磁导率：虽然主要通过起始磁化曲线获得，但在分析退磁曲线及完整磁滞回线时，磁导率的变化趋势也是重要的参考指标，特别是考察材料在弱场下的磁响应特性。
- 磁滞损耗：通过计算磁滞回线所包围的面积，可以得出材料在一个磁化周期内的能量损耗，这对于评估器件的温升和效率至关重要。
除了上述静态磁特性参数外，非晶纳米晶退磁曲线测试还关注曲线的形状分析。例如，对于经过横向磁场退火的纳米晶材料，其退磁曲线呈现出扁平的线性特征，这被称为“线性磁滞回线”，是高性能脉冲变压器和可控饱和电抗器的理想特性。而对于纵向磁场退火的产品，退磁曲线则呈现出高矩形特征。因此，对退磁曲线形状的定性分析与定量计算同样重要。
检测方法
非晶纳米晶退磁曲线测试主要采用直流磁特性测量方法，以确保获得材料的静态磁参数。常见的检测方法包括冲击法和电子积分法。
冲击法是一种经典的测量方法，利用冲击检流计测量磁通量的变化。虽然该方法精度较高，但操作繁琐，难以实现自动化，目前在科研和生产检测中已逐渐被电子积分法取代。电子积分法利用电子积分器对感应电压进行积分，直接得到磁通量，进而计算出磁感应强度B。结合计算机控制技术，现代测试系统可以自动完成磁化、退磁、数据采集与处理的全过程，大大提高了测试效率和准确性。
具体的测试流程如下：
- 样品准备与绕线：对于环形样品，需要先在样品上绕制初级线圈（磁化线圈）和次级线圈（测量线圈）。初级线圈用于产生磁场H，次级线圈用于感应磁通的变化。绕线匝数需根据样品尺寸、磁场强度范围及测试仪器的灵敏度进行计算。
- 系统校准：使用标准互感器或标准样品对测试系统进行校准，消除系统误差，确保磁场强度H和磁感应强度B测量的准确性。
- 退磁处理：在开始测量磁滞回线之前，必须对样品进行充分的退磁，以消除历史磁化状态的影响，使样品处于磁中性状态。常用的退磁方法有交流退磁法和热退磁法，交流退磁法操作简便，通过逐渐减小交流磁场幅值至零来实现。
- 磁滞回线测量：在初级线圈中通入可控的直流电流，产生周期性变化的磁场H。通过电子积分器记录次级线圈中的感应电动势，经过积分运算得到磁感应强度B。连续改变磁场H的大小和方向，即可描绘出完整的磁滞回线，其中包含第二象限的退磁曲线。
- 数据处理：通过计算机软件对采集的数据进行处理，扣除空气磁通的影响，计算Bs、Br、Hc等参数，并绘制出高精度的B-H曲线图谱。
值得注意的是，由于非晶纳米晶材料具有极高的磁导率，空气磁通对测试结果的影响不容忽视。在测试大磁导率样品时，必须进行空气磁通补偿，或者在计算中扣除这一部分影响，以保证测试结果的真实性。此外，磁化速率的选择也会影响矫顽力的测试结果，因此需依据相关标准设定合适的磁化电流变化速率。
检测仪器
非晶纳米晶退磁曲线测试依赖于专业的磁测量仪器设备，这些设备需具备高稳定性的磁场发生装置和高灵敏度的磁通检测单元。常用的检测仪器主要包括：
- 软磁直流测试系统：这是目前最主流的检测设备，集成了可编程直流电流源、高精度积分器、计算机控制系统及专用测试软件。该系统能够自动测量静态磁滞回线、起始磁化曲线及退磁曲线，并自动计算各项磁参数。其电流源稳定性好，能够满足微小磁场下测试矫顽力的需求。
- 振动样品磁强计（VSM）：主要用于测量材料的磁化强度随外磁场的变化，适用于粉末、薄膜等形态的样品。虽然VSM主要用于测试矫顽力和饱和磁矩，但也能绘制出磁滞回线。不过，对于环形闭合磁路的软磁材料，VSM测试时开路退磁因子的影响较大，数据处理较为复杂，通常不作为首选。
- 数字磁通计：配合亥姆霍兹线圈或电磁铁使用，用于测量磁通量。虽然传统磁通计无法直接绘制连续曲线，但在配合手动操作或简易自动化装置时，仍可用于测量Bs、Br等点值参数。
- 精密电流源与高斯计：在搭建自定义测试平台时使用，电流源用于驱动初级线圈产生磁场，高斯计用于监测磁场强度。但这通常用于科研探索，商业检测多采用集成化的测试系统。
为了确保非晶纳米晶退磁曲线测试数据的权威性，检测机构会定期对上述仪器设备进行计量校准，确保其符合国家标准GB/T 3658《软磁材料直流磁性能测量方法》或国际标准IEC 60404-4的相关要求。仪器的高分辨率和低噪声水平是准确捕捉非晶纳米晶材料极低矫顽力和高线性度退磁曲线的关键保障。
应用领域
非晶纳米晶材料凭借其优异的磁性能，在多个高端制造领域占据重要地位，而非晶纳米晶退磁曲线测试则是保障这些应用可靠性的基石。
在新能源发电领域，光伏逆变器和风力发电变流器是核心部件。非晶纳米晶磁芯因其低损耗特性，被广泛应用于逆变器中的高频变压器、滤波电感和互感器。通过退磁曲线测试，工程师可以筛选出矫顽力低、损耗小的材料，从而提高逆变器的转换效率，减少发热，延长设备使用寿命。
在新能源汽车领域，车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及电机驱动系统对磁性器件的要求极高。非晶纳米晶材料能够满足高功率密度、高温工作环境的需求。退磁曲线测试可以帮助设计人员选择合适的矩形比材料，用于PFC电感或升压变压器，确保在复杂的工况下磁芯不会饱和，保障行车安全。
在消费电子领域，智能手机、笔记本电脑等设备的电源适配器正向小型化、高效化发展。采用非晶纳米晶材料制作的高频变压器和共模电感，能够显著缩小体积。测试其退磁曲线有助于优化磁芯形状，在有限的体积内实现最大的能量传输。
在电力系统中，非晶合金变压器已广泛应用于配电网络。虽然其铁芯主要工作在工频交流状态下，但直流磁特性参数（如矫顽力、损耗）是评估其节能效果的基础。此外，在智能电网的电流互感器、漏电保护开关中，高灵敏度的非晶纳米晶磁芯也必不可少，退磁曲线测试确保了其测量精度和保护动作的可靠性。
在航空航天及军工领域，抗干扰能力和可靠性是首要考量。非晶纳米晶材料用于制造尖峰抑制器、磁放大器和脉冲变压器，这些器件往往需要在极端环境下工作。通过严格的退磁曲线测试，可以确保材料在受到强干扰磁场冲击后能迅速恢复，保证系统稳定运行。
常见问题
在进行非晶纳米晶退磁曲线测试及应用过程中，客户经常会遇到一些技术疑问，以下针对常见问题进行详细解答：
- 为什么测试结果中的矫顽力与供应商数据有差异？
矫顽力属于结构敏感参数，极易受应力影响。测试结果的差异通常由以下原因造成：首先，样品状态不同，供应商通常测试的是经过严格应力释放退火的裸环，而客户送检的可能是浸漆或灌封后的成品，浸漆固化引入的应力会显著增大矫顽力；其次，测试方法不同，磁化速度、饱和磁化场的大小都会影响测试结果，需确认双方是否依据同一标准（如GB/T 3658）进行测试；最后，绕线方式不当，绕线过紧也会引入机械应力，改变材料的磁性能。
- 非晶纳米晶材料是否需要像永磁材料一样进行退磁曲线分析？
虽然非晶纳米晶属于软磁材料，但退磁曲线分析对其同样重要。对于永磁材料，退磁曲线决定其工作点；对于软磁材料，退磁曲线的形状（即磁滞回线的形状）反映了材料的磁滞损耗和磁导率特性。特别是对于磁放大器或饱和电感器，其工作原理正是利用了磁芯在饱和与退磁状态之间的切换，因此其第二象限的退磁曲线特征直接决定了器件的控制特性和响应速度。
- 如何选择矩形比？高矩形比和低矩形比各有什么应用？
通过非晶纳米晶退磁曲线测试得到的矩形比（Br/Bs）是选材的关键。高矩形比（接近1）意味着材料具有陡峭的磁滞回线，适用于磁放大器、饱和电抗器和尖峰抑制器，因为这些器件需要材料在电流过零时具有高磁导率，而在达到饱和时迅速跳变。低矩形比（接近0）意味着材料具有平坦的磁滞回线，即“线性磁滞回线”，适用于脉冲变压器、漏电保护器和磁屏蔽，因为这些应用要求材料在宽磁场范围内磁导率保持恒定，不易饱和。
- 测试时为什么需要进行空气磁通补偿？
在测量磁感应强度B时，探测线圈不仅感应了样品内部的磁通，也感应了样品占据空间的空气磁通。对于高磁导率的非晶纳米晶材料，样品内部磁通远大于空气磁通，但在精确计算饱和磁感应强度Bs时，若不扣除空气磁通，会导致结果偏高。尤其是对于截面积较小的样品或测量磁化曲线的起始部分，空气磁通的影响更为显著，因此专业检测必须进行空气磁通补偿。
- 纳米晶磁芯的退火工艺如何影响退磁曲线？
退火工艺是决定纳米晶性能的关键。纵向磁场退火会使磁矩沿磁场方向取向，获得高矩形比材料，其退磁曲线陡峭；横向磁场退火会使磁矩垂直于磁场方向取向，获得低矩形比材料，其退磁曲线扁平。无磁场退火则通常获得介于两者之间的特性。通过非晶纳米晶退磁曲线测试，可以直观地验证退火工艺是否达到预期效果，为工艺优化提供闭环反馈。
综上所述，非晶纳米晶退磁曲线测试不仅是一项基础的物理测量，更是连接材料研发、生产质量控制与器件应用设计的桥梁。通过科学、规范的测试，能够准确把握材料的磁学行为，推动高端磁性元器件的技术进步。
