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芯片封装CDM模型实验

原创版权

发布时间:2025-07-17 23:47:05

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来源:中析研究所

芯片封装CDM模型实验
导读:

我们的检测流程严格遵循国际标准和规范,确保结果的准确性和可靠性。我们的实验室设施精密完备,配备了最新的仪器设备和领先的分析测试方法。无论是样品采集、样品处理还是数据分析,我们都严格把控每个环节,以确保客户获得真实可信的检测结果。

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信息概要

芯片封装CDM模型实验是针对集成电路封装过程中可能产生的静电放电(ESD)问题进行的专项检测。该实验通过模拟带电设备模型(Charged Device Model, CDM)下的静电放电场景,评估芯片封装在真实环境中的抗静电能力。检测的重要性在于确保芯片封装在制造、运输和使用过程中能够有效抵抗静电干扰,避免因静电放电导致的性能下降或功能失效,从而提高产品的可靠性和市场竞争力。

检测项目

静电放电阈值, 放电电流波形, 电压峰值, 上升时间, 能量损耗, 封装材料绝缘性, 引脚耐压能力, 接地性能, 电荷积累量, 放电路径阻抗, 封装结构完整性, 热稳定性, 湿度影响, 机械应力影响, 高频信号干扰, 电磁兼容性, 封装密封性, 耐腐蚀性, 老化测试, 环境适应性

检测范围

BGA封装, QFN封装, SOP封装, QFP封装, LGA封装, CSP封装, DIP封装, TSOP封装, PLCC封装, SOIC封装, TSSOP封装, DFN封装, WLCSP封装, FCBGA封装, PBGA封装, EBGA封装, CERDIP封装, PDIP封装, TO封装, PGA封装

检测方法

CDM静电放电测试:模拟带电设备模型下的静电放电,评估芯片封装的抗静电能力。

电流波形分析:通过示波器捕捉放电电流波形,分析放电特性。

电压峰值测量:测量静电放电过程中的最高电压值。

上升时间测试:记录放电电流从10%上升到90%所需的时间。

能量损耗计算:通过积分电流和电压曲线,计算放电过程中的能量损耗。

绝缘电阻测试:测量封装材料的绝缘电阻,评估其绝缘性能。

耐压测试:对芯片引脚施加高压,检测其耐压能力。

接地电阻测试:测量封装接地路径的电阻,评估接地性能。

电荷积累测试:通过静电计测量封装表面的电荷积累量。

阻抗分析:使用网络分析仪测量放电路径的阻抗特性。

X射线检测:通过X射线成像检查封装内部结构的完整性。

热循环测试:模拟温度变化,评估封装的热稳定性。

湿度测试:在高湿度环境下测试封装的性能变化。

机械振动测试:通过振动台模拟机械应力,检测封装的机械强度。

高频信号测试:使用信号发生器分析封装对高频信号的干扰情况。

检测仪器

CDM测试仪, 示波器, 高压电源, 静电计, 网络分析仪, X射线检测仪, 热循环箱, 湿度 chamber, 振动台, 信号发生器, 绝缘电阻测试仪, 耐压测试仪, 接地电阻测试仪, 电磁兼容测试仪, 老化测试箱

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