辉光放电质谱常规测试

其他检测 0 次浏览 来源:北京中科光析科学技术研究所
字号

技术概述

辉光放电质谱常规测试是以辉光放电为离子源、结合高分辨质谱检测器,对固体材料进行多元素同步分析的一种痕量检测技术,可测定从锂到铀的大部分元素,多数杂质元素的检出限可达ppb量级。该测试在高纯金属、半导体材料与溅射靶材的纯度评价中具有重要应用价值,是材料成分表征领域的核心常规检测手段之一。

检测样品

辉光放电质谱分析主要针对固体块状样品,要求样品具备一定的导电能力,表面洁净、无明显氧化与污染,且尺寸形状与仪器放电池规格相匹配。常见的检测样品类型包括:

  • 高纯金属:高纯铜、高纯铝、高纯锌、高纯镓、高纯铟、高纯钛等;
  • 半导体材料:硅、锗、砷化镓、磷化铟等晶体材料或晶圆切片;
  • 溅射靶材:铝靶、铜靶、钛靶、钽靶、ITO靶材等各类金属与陶瓷靶材;
  • 合金材料:铝合金、铜合金、镍基合金、高温合金等;
  • 其他导电无机材料:石墨电极、导电陶瓷等功能材料。

粉末样品需先压制成致密块体并保证良好导电性,不规则小块可通过镶嵌或整形处理满足夹持要求;不导电样品可采用射频放电模式或经导电化处理后再行测试。

检测项目

如需了解检测费用、周期与方案,可在线咨询工程师,获取一对一沟通服务

立即咨询工程师

1. 辉光放电质谱常规测试的元素分析范围

该测试覆盖元素周期表中从锂到铀的绝大多数元素,包括碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土元素、主族金属以及卤素等非金属元素,单次放电即可完成数十种元素的同时测定,全面反映材料的整体纯度状况。

2. 痕量与超痕量杂质分析

针对高纯材料中的杂质元素,可实现ppm至ppb量级的定量或半定量测定,准确评价杂质总量与材料纯度等级;其中氢、氧、氮等轻元素受仪器背景限制,检出能力相对有限,必要时可结合其他手段补充测定。

3. 表层与界面深度剖析

利用辉光放电逐层溅射的特点,可对镀层、涂层、渗层样品进行深度剖析,获得膜层元素组成、膜层厚度、界面互扩散以及杂质元素沿深度方向的分布信息。

4. 同位素比值测定

质谱检测具有天然的同位素分辨能力,可对样品中特定元素的同位素丰度比进行测定,为同位素示踪研究及相关材料分析提供数据支持。

检测方法

检测报告可用于:产品内控对比质量控制与改进失效分析科研课题数据支持工业问题诊断内部研发比对

1. 辉光放电质谱常规测试的定量分析方法

定量分析采用相对灵敏度因子法:以标准物质或已知含量的参考样品为基准,测定并建立各元素相对于基体元素的灵敏度因子,再据此换算未知样品中各元素的含量,可获得准确度较高的定量结果。

2. 半定量快速扫描法
中析研究所实验室检测现场1
中析研究所实验室检测现场2
中析研究所实验室检测现场3
中析研究所实验室检测现场4

在缺乏匹配标准物质的情形下,采用半定量模式对全质量范围进行快速扫描,依据离子束流强度与典型灵敏度系数估算各元素含量,适用于来料筛选、批次比对与工艺状态的快速评估。

3. 深度剖析测试方法

在恒定放电条件下对样品进行持续溅射,实时记录各元素信号强度随时间的变化,并结合溅射速率将时间坐标换算为深度坐标,从而绘制元素浓度随深度变化的分布曲线。

检测仪器

辉光放电质谱常规测试依托专业辉光放电质谱仪(GDMS)完成。仪器主要由辉光放电离子源、离子透镜与能量分析系统、质量分析器、离子检测器以及高真空系统构成,其中直流放电模式适用于导电样品,射频放电模式则可拓展至半导体及部分弱导电样品。

仪器的放电电流、放电电压与氩气流量均可精确调控,配合法拉第杯与电子倍增器组成的双通道检测系统,可在单次分析中覆盖从主量到痕量的宽含量范围,保障测试的灵敏度、准确度与长期稳定性。

常见问题

问题一:辉光放电质谱常规测试的检测周期是多久?

一般情况下,检测周期为7-15个工作日。实际周期受多方面因素影响:检测项目数量的多少、同时送检样品的数量、所用方法的复杂程度,以及是否包含深度剖析等特殊测试内容,都会对整体进度产生影响。若有明确的时限要求,可提前沟通安排加急处理。

问题二:辉光放电质谱常规测试的检测价格是多少?

检测费用因具体需求差异而有所不同,主要影响因素包括:检测项目的数量与范围、所采用的定量或半定量方法、样品的数量与前处理难度,以及检测周期的缓急程度等。建议在送检前详细说明测试需求,获取针对性的报价信息。

问题三:样品送检前需要做哪些准备?

样品宜加工成与放电池尺寸匹配的块状或片状,表面保持清洁,避免用手直接触碰分析面。表面存在氧化层或污染物的样品可交由实验室进行抛光、清洗处理;粉末、丝状等特殊形态样品应提前说明,以便安排相应的成型预处理。

问题四:辉光放电质谱的检出限能达到什么水平?

对于多数金属杂质元素,检出限可达ppb量级,条件良好时部分元素可达到亚ppb水平。氢、氧、氮等轻元素由于受残余气体和仪器背景的干扰,检出能力相对受限,具体指标与样品基体类型、仪器状态及放电条件有关。

问题五:辉光放电质谱与ICP-MS有何区别?

两者的差异主要体现在进样与离子化方式上。辉光放电质谱直接对固体样品进行溅射离子化,无需酸溶解,避免了溶样过程可能引入的污染和稀释损失,更适合高纯固体材料的直接分析;ICP-MS以溶液雾化进样为主,样品一般需先消解处理,两种技术在应用上互为补充。

问题六:不导电样品能否进行该项测试?

直流放电模式要求样品具备良好导电性,不导电样品可优先考虑射频放电模式,也可通过与高纯导电介质混合压片或表面镀覆导电层等方式进行前处理后再行测试,具体方案需结合样品形态与测试目标综合确定。

机构信息

附:中析研究所机构信息
机构名称北京中科光析科学技术研究所
简称中析研究所
单位性质集体所有制(股份合作)科研检测单位
隶属单位北京前沿科学技术研究院
机构定位以科研检测为主的科学技术研究机构;第三方分析测试技术服务单位
资质认可旗下实验室获得 CMA 检验检测机构资质认定与 CNAS 实验室认可
机构荣誉国家高新技术企业、中关村高新技术企业
报告用途可作为产品质量评价、贸易出证、科研成果鉴定等的证明依据,也能在全球范围内获得广泛认可
检测方针公正、科学、准确、优质
执业原则严谨、诚信
经营理念以客户需求为中心,真正解决顾客难题
服务内容研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等
服务行业航空航天、军工科研、执法单位、高端制造、新能源与节能环保、石油化工、生物医药、电子信息、新材料研发、汽车及轨道交通、建筑建材等

服务客户

部分合作客户
中析研究所服务客户展示(占位图)

了解中析研究所

实验室与团队掠影
了解中析研究所——实验室掠影 01(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 02(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 03(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 04(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 05(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 06(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 07(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 08(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 09(占位图) 了解中析研究所——实验室掠影 10(占位图)

相关阅读

2026-11-14

面粉中硼酸含量测定

面粉中硼酸含量测定去哪里做?本页汇总面粉中硼酸含量测定的检测方法、适用样品范围与标准依据,涵盖姜黄素比色

阅读全文
2026-11-14

色谱测定记录服务

色谱测定记录服务找什么单位?本页汇总色谱测定记录服务的方法、样品与周期要点,涵盖气相、液相及质谱联用等标

阅读全文

热门仪器

荣誉资质

旗下实验室拥有

读完还想深入了解?工程师在线答疑

检测项目、费用与周期,一对一沟通更高效

立即在线咨询
复制成功